一种低表面浓度深结太阳能电池片
授权
摘要
本实用新型公开了一种低表面浓度深结太阳能电池片，涉及太阳能电池领域，包括晶体硅片、设置于晶体硅片受光面的栅线电极以及设置于晶体硅片背光面的背电极，其特征在于，所述晶体硅片由上下分布的扩散层和基底层构成，所述扩散层分为轻掺杂区和重掺杂区，重掺杂区分布于栅线电极的栅线的下方，重掺杂区的顶端面与栅线电极的栅线的底端面重叠且大小一致，所述重掺杂区的掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度，重掺杂区的结深高于轻掺杂区的结深，本实用新型栅线电极以下区域形成高浓度掺杂，栅线电极以外区域形成低浓度掺杂，减少了表面复合，提高光电转化效率。
基本信息
专利标题 ：
一种低表面浓度深结太阳能电池片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921145181.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-22
授权号 ：
CN210110794U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
钮阿兴翟文杰
申请人 ：
宜兴锦尚太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴环科园绿园路501号环保科技大厦
代理机构 ：
无锡市天宇知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
蒋何栋
优先权 ：
CN201921145181.1
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/068
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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