一种物理溅射的硬件配置及系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种物理溅射的硬件配置，包括一个靶构件，被配置为阴极，用于产生溅射粒子；以及一个基板，用于沉积所述溅射粒子，形成沉积膜。其中，所述靶构件至少包括一个第一靶构件和一个第二靶构件，两者相互独立；所述第一靶构件在其长度方向具有一个基本均匀的第一侵蚀率；以及所述第二靶构件在其长度方向具有一个基本均匀的第二侵蚀率。本实用新型还公开了一种物理溅射的系统，包括上述物理溅射的硬件配置和其它配件。
基本信息
专利标题 ：
一种物理溅射的硬件配置及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921190611.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-26
授权号 ：
CN211897094U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
卫克拉玛那雅卡·苏尼尔
申请人 ：
爱莱私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡共和国乌节路545号远东购物中心13楼4室
代理机构 ：
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何葆芳
优先权 ：
CN201921190611.1
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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