一种温度可控的单晶体生产用烧结炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种温度可控的单晶体生产用烧结炉，包括烧结炉、隔热板、固定块、限流圈和驱动装置，所述烧结炉侧面分别设有进气口和排气口，且烧结炉顶部设有防爆孔，所述隔热板焊接在烧结炉内侧，且隔热板下方一体化连接有助燃圈，所述固定块焊接在烧结炉中部，且固定块中部设有烧结槽，所述限流圈侧面设有通气孔，所述驱动装置螺栓固定在烧结炉底部，且驱动装置通过传动轴与传动齿轮连接。该温度可控的单晶体生产用烧结炉通过转动助燃圈外侧的限流圈，来改变进入烧结炉内部的空气流量，从而实现对烧结炉内部温度的调节，提高了烧结炉的调节精度，同时，通过注入惰性气体来吸收炉内热流，加快了烧结炉的降温速率。
基本信息
专利标题 ：
一种温度可控的单晶体生产用烧结炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921269522.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN210314556U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
林志高
申请人 ：
福建鑫磊晶体有限公司
申请人地址 ：
福建省宁德市屏南县溪坪工业区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921269522.6
主分类号 ：
C30B1/00
IPC分类号 ：
C30B1/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B1/00
直接自固体的单晶生长
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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