一种提供受热均匀性的单晶体生产烧结炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种提供受热均匀性的单晶体生产烧结炉，包括烧结炉本体、封闭门、密封轴承和电机，所述烧结炉本体上铰链连接有封闭门，且烧结炉本体的中部通过密封轴承贯穿有内杆，且内杆通过磁片与套筒相互连接，所述套筒的表面设置有安装杆，且安装杆的内部开设有滑槽，所述滑槽的内部安装有复位弹簧，且滑槽通过复位弹簧与卡块相互连接，并且卡块的边侧设置有握把，所述卡块之间安装有套杆，且套杆通过连接杆与装料腔相互连接。该提供受热均匀性的单晶体生产烧结炉，可以有效提高单晶体的生产质量，能够快速且均匀的烘干单晶体，能够使得装载单晶体的载体与烧结炉之间快速安装，有效提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种提供受热均匀性的单晶体生产烧结炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921283844.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-09
授权号 ：
CN210314569U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
林志高
申请人 ：
福建鑫磊晶体有限公司
申请人地址 ：
福建省宁德市屏南县溪坪工业区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921283844.6
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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