一种BBO双晶调Q开关
授权
摘要
本实用新型涉及一种BBO双晶调Q开关，属于开关技术领域，包括支架，所述支架上安装有两个前后设置的晶体定位架，所述前后两个晶体定位架上分别设有第一晶体槽和第二晶体槽，所述第一晶体槽内固定安装有第一晶体，所述第二晶体槽内固定安装有第二晶体，所述第二晶体与第一晶体同轴设置，所述第一晶体和第二晶体上端均固定安装有导电片；本实用新型可以使晶体在工作时产生的热量，迅速通过该铜支架转移出去，降低晶体的工作温度，使晶体和铜之间的热传递不受阻碍，可以精确定位晶体的安装位置，安装后使两个晶体的光轴一致，将导热和电连接同时解决，且没有多余的外部封装结构，适用于密封性好的激光器中。
基本信息
专利标题 ：
一种BBO双晶调Q开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921280047.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-08
授权号 ：
CN209948324U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
赵全勇刘辉刘泽东雷瑞瑞
申请人 ：
济南智和弘盛光电科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区天辰路677号2号楼1层东北厅
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921280047.2
主分类号 ：
H01S3/115
IPC分类号 ：
H01S3/115 H01S3/04
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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