一种半导体老化测试设备泄压保护结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体老化测试设备泄压保护结构，涉及机械压力保护技术领域，包括用于驱动热阵列动作靠近测试板的压缩空气支路Ⅰ，以及用于驱动热阵列动作并最终接触测试板的压缩空气支路Ⅱ；所述压缩空气支路Ⅰ和压缩空气支路Ⅱ均与设备压力源连接，且压缩空气支路Ⅰ和压缩空气支路Ⅱ上均设置有压力调节器、调节泄压阀、电磁阀和对上述热阵列的动作执行单元；所述调节泄压阀包括可设定泄压阈值、且通过适配器和三通接头设置在气路上的泄压阀。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体老化测试设备泄压保护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921323436.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-15
授权号 ：
CN211123133U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
周宣名周伟
申请人 ：
英特尔产品（成都）有限公司;英特尔公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新技术开发区西区科新路8-1号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
林锦辉
优先权 ：
CN201921323436.9
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/02
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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