一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻
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摘要

本实用新型公开了一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻,包括基体,基体的背面和正面分别设有背电极和正电极,背电极包括相对设置且均沿着基体的长度方向延伸的第一背电极层和第二背电极层,二者的长度与基体的长度相等;正电极包括相对设置且沿着基体的长度方向延伸的第一正电极层和第二正电极层,二者的长度与基体的长度相等;第一正电极层和第二正电极层通过阻体层相连,阻体层上覆盖有玻璃保护层和树脂保护层;阻体层和玻璃保护层上对应的位置处设有镭切线;正电极与背电极通过侧电极相连导通。本实用新型通过对正电极和背电极均采用宽电极结构设计,相比于传统的正电极和背电极面积分别增加至少2倍,能够加大产品的散热面积,使产品的功率得到提升。

基本信息
专利标题 :
一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921350430.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-20
授权号 :
CN210200433U
授权日 :
2020-03-27
发明人 :
黄正信刘复强顾明德
申请人 :
丽智电子(昆山)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市昆山市汉浦路989号
代理机构 :
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 :
俞翠华
优先权 :
CN201921350430.0
主分类号 :
H01C1/084
IPC分类号 :
H01C1/084  H01C1/142  H01C17/00  H01C7/00  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C1/00
零部件
H01C1/08
冷却、加热或通风装置
H01C1/084
用自冷,如叶片、散热器
法律状态
2020-03-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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