铌酸锂光波导芯片

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摘要

本实用新型涉及一种铌酸锂光波导芯片，包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在单晶硅基板上并包覆铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层，以及设置在二氧化硅包层上的金属电极；薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊，或者，包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大，本实用新型利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性，通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层，可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性，实现了几种非热敏设计的光波导结构，可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数，使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。

基本信息

专利标题：

铌酸锂光波导芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921367295.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-22

授权号：

CN211180281U

授权日：

2020-08-04

发明人：

陈亦凡黄萌

申请人：

易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司

申请人地址：

安徽省马鞍山市慈湖高新区霍里山大道北段1669号2栋

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

唐静芳

优先权：

CN201921367295.0

主分类号：

G02B6/12

IPC分类号：

G02B6/12