极紫外光光罩基底及极紫外光光罩
授权
摘要
本实用新型公开了一种极紫外光光罩基底及极紫外光光罩。该极紫外光光罩基底包括：基板，其包括热电材料；导热层，其形成于基板上；以及反射层，其形成于导热层上。本实用新型通过在极紫外光光罩基底设置基底、形成于基板上的导热层以及形成于导热层上的反射层，使包含该基底的极紫外光光罩在吸收极紫外光后，将累计的热能传导至反射层，反射层将热能传导至导热层，导热层将热能传导至基板，包含热电材料的基板将热能转化为电能，从而降低了热能在极紫外光光罩中的积累，在一定程度上解决了极紫外光光罩受热膨胀的问题，提高了采用极紫外光光刻技术的半导体制程的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
极紫外光光罩基底及极紫外光光罩
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921367351.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-22
授权号 ：
CN211454228U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
李建新曾依蕾杨忠宪
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN201921367351.0
主分类号 ：
G03F1/24
IPC分类号 ：
G03F1/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/22
用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如X射线掩膜、深紫外掩膜；其制备
G03F1/24
反射掩膜；其制备
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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