一种电磁屏蔽结构
授权
摘要
本实用新型公开一种电磁屏蔽结构，该电磁屏蔽结构包括导电布层和多层交叠结构层，所述多层交叠结构层的上表面叠置在所述导电布层的下表面上；所述多层交叠结构层包括若干吸收材料层和若干电阻型周期结构层；所述吸收材料层与所述电阻型周期结构层交叠在一起；所述多层交叠结构层的上表面和下表面均为电阻型周期结构层，且多层交叠结构层内的若干电阻型周期结构层自上而下方阻逐渐减小。本实用新型提供的电磁屏蔽结构对8～40GHz的电磁波屏蔽效果达到50dB以上，即正面入射的电磁波仅十万分之一能穿透；另外，所述电磁屏蔽结构具有良好的电磁波吸收效果，应用于电磁屏蔽服时对斜入射穿透的电磁波同样具有吸收衰减效果。
基本信息
专利标题 ：
一种电磁屏蔽结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921391423.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-26
授权号 ：
CN210537247U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
陶益杰
申请人 ：
上海戎科特种装备有限公司
申请人地址 ：
上海市奉贤区青村镇奉永路108号11幢
代理机构 ：
长沙国科天河知识产权代理有限公司
代理人 ：
邱轶
优先权 ：
CN201921391423.5
主分类号 ：
H05K9/00
IPC分类号 ：
H05K9/00 B32B15/02 B32B15/14 B32B5/08 B32B5/18 B32B5/24 B32B33/00
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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