半导电层及绝缘结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导电层及绝缘结构，半导电层包括：半导电层主体；包覆于半导电层主体内的导电薄膜层，其中，半导电层主体上设置有与导电薄膜层导通的等电位连接点，等电位连接点能够与待连接导体导通。由于在半导电层主体内设置了导电薄膜层，且导电薄膜层与半导电层主体上的等电位连接点导通，等电位连接点与待连接导体导通，因此，半导电层主体能够通过导电薄膜层实现与待连接导体等电位，即本实用新型利用导体等电位解决了半导电层电位不一致的问题，提高了半导电层的等电位效果，进而降低绝缘风险。
基本信息
专利标题 ：
半导电层及绝缘结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921451717.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-02
授权号 ：
CN210606823U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
庄加才徐君刘威
申请人 ：
阳光电源股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区习友路1699号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
骆英静
优先权 ：
CN201921451717.2
主分类号 ：
H01B17/56
IPC分类号 ：
H01B17/56 H01B17/60 H01B17/64 H01B5/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B17/00
按形状特点区分的绝缘子或绝缘物体
H01B17/56
绝缘物体
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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