一种片上波导损耗测量装置
授权
摘要
本申请提供一种片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；位于所述光耦合器的光出射端一侧的分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；形成于所述顶层硅中的波导组，所述波导组具有两个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及形成于所述顶层硅上的两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所述光电探测器探测，所述光电探测器生成与探测到的光对应的电流。
基本信息
专利标题 ：
一种片上波导损耗测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921455306.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-03
授权号 ：
CN210375638U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳余明斌
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘元霞
优先权 ：
CN201921455306.0
主分类号 ：
G01M11/02
IPC分类号 ：
G01M11/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01M
机器或结构部件的静或动平衡的测试；其他类目中不包括的结构部件或设备的测试
G01M11/02
•光学性质测试
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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