单反射面紧缩场装置

授权

摘要

本实用新型公开一种单反射面紧缩场装置。该装置的一实施方式包括：馈源和单反射面系统，所述馈源对所述单反射面系统的反射面偏馈照射，所述单反射面系统的焦距的取值为2～3倍口径。该实施方式采用焦径比较大的长焦设计，可通过长焦减缩偏馈量来控制交叉极化到合理范围，以提升交叉极化隔离度，可使交叉极化隔离度大于‑30dB，趋近于‑38dB～‑40dB之间，提高了正交极化隔离天线的测量精度，制造及装配精度容易实现，不存在多反射面装配的累积误差，相对容易实现更高频率工作要求的反射面精度，提高了紧缩场系统设计的工程可实现性，适用于毫米波/THz测试场，克服了双/多反射面系统难以实现低交叉极化的问题。

基本信息

专利标题：

单反射面紧缩场装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921459181.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-04

授权号：

CN211528544U

授权日：

2020-09-18

发明人：

李志平覃媛媛王正鹏武建华

申请人：

北京航空航天大学

申请人地址：

北京市海淀区学院路37号

代理机构：

北京正理专利代理有限公司

代理人：

付生辉

优先权：

CN201921459181.9

主分类号：

G01R29/10

IPC分类号：

G01R29/10 H01Q19/12 H01Q15/16