GMI传感器灵敏度改进结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种GMI传感器灵敏度改进结构，包括GMI敏感材料和驱动电源；所述GMI敏感材料包括第一导电层、第一绝缘层、GMI敏感层、第二绝缘层、第二导电层和第三绝缘层；所述第一导电层与所述第二导电层之间施加有电信号提供层间电场，所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第二导电层在层间电场的作用下形成层间电容；所述驱动电源的正负极连接GMI敏感层的两端。本实用新型提供了一种GMI传感器灵敏度改进结构，GMI敏感材料为复合结构，在该复合结构中施加层间电场使其产生层间电容，该层间电容在传感器交流工作时起到存储部分能量和抗突变干扰的作用，从而可以改善器件的稳定性能和灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
GMI传感器灵敏度改进结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921505505.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN210534314U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
赵振杰张清王健康孙凌虹
申请人 ：
昆山航磁微电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山开发区前进东路科技广场1702室
代理机构 ：
苏州周智专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
周雅卿
优先权 ：
CN201921505505.8
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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