高灵敏度霍尔传感器的封装结构
授权
摘要

本实用新型公开了一种高灵敏度霍尔传感器的封装结构,设有霍尔元件封装外壳体,还包括霍尔元件限位板,所述霍尔元件封装外壳体内设有开口的容置腔,所述霍尔元件封装外壳体上设有外壳体固定板,所述外壳体固定板上设有安装孔,所述霍尔元件限位板设在容置腔内,所述霍尔元件限位板的侧面设有可供导线穿过的导线导引槽,下表面设有霍尔元件定位槽,所述霍尔元件定位槽与导线导引槽相连通,本实用新型具有结构简单、安装方便、霍尔传感器定位准确、测量精度高等优点。

基本信息
专利标题 :
高灵敏度霍尔传感器的封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022496421.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-11-02
授权号 :
CN213302489U
授权日 :
2021-05-28
发明人 :
刘昌庆李文琦
申请人 :
威海双丰韩柏温度智能控制股份有限公司
申请人地址 :
山东省威海市高新技术开发区火炬路156号
代理机构 :
威海科星专利事务所
代理人 :
王本红
优先权 :
CN202022496421.1
主分类号 :
G01R33/07
IPC分类号 :
G01R33/07  G01P3/44  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/07
霍耳效应器件
法律状态
2021-05-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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