可降低红外反射的图像传感器
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提供一种可降低红外反射的图像传感器,包括半导体衬底,夹层绝缘层,第一氧化层,第一抗反射涂层,平坦层以及微透镜。所述半导体衬底包括像素区域和隔离区域,所述像素区域包括光电转换部分和电荷转移部分;所述夹层绝缘层设置在所述半导体衬底的正面,其上设置有金属布线结构;所述第一氧化层,设置在所述半导体衬底的背面;第一抗反射涂层,设置在所述第一氧化层上;所述平坦层设置在所述第一抗反射涂层上,用于平坦化所述第一抗反射涂层的表面;所述微透镜设置在所述平坦层上,用于聚集入射光线。

基本信息
专利标题 :
可降低红外反射的图像传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921547773.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-18
授权号 :
CN210489617U
授权日 :
2020-05-08
发明人 :
谭炳辉石文杰邵泽旭陈超林章兴龙戚德奎
申请人 :
思特威(上海)电子科技有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921547773.6
主分类号 :
H01L27/146
IPC分类号 :
H01L27/146  
法律状态
2021-04-16 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 27/146
变更事项 : 专利权人
变更前 : 思特威(上海)电子科技有限公司
变更后 : 思特威(上海)电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
变更后 : 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
2020-05-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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