一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法
授权
摘要
本发明提供一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法，包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构、光电二极管和浮置扩散区，并形成多晶硅转移栅，多晶硅转移栅位于光电二极管和浮置扩散区之间；直接对光电二极管所在的半导体衬底表面以及多晶硅转移栅的表面进行离子注入，以同时消除光电二极管的表面缺陷引起的白点失效以及多晶硅转移栅的漏电引起的白点失效，解决光电二极管表面缺陷引起的暗电流，还解决多晶硅转移栅漏电引起的暗电流，从而有效降低暗电流所导致的白点失效问题，提高了良率；在形成p型掺杂薄层时无需形成图形化的光刻胶，这样就减少了光罩的成本，同时省略了光刻以及清洁光刻胶层的工艺步骤，降低了工艺成本。
基本信息
专利标题 ：
一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335045A
申请号 ：
CN202210229027.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
CN114335045B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
奚超超蔡信裕陈建铨
申请人 ：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210229027.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
