一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114414972A
申请号 ：
CN202111530295.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪波秦林生马林东刘伟鑫江芸孔泽斌祝伟明楼建设王昆黍
申请人 ：
上海精密计量测试研究所
申请人地址 ：
上海市闵行区元江路3888号
代理机构 ：
上海航天局专利中心
代理人 ：
唐敏
优先权 ：
CN202111530295.X
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01N23/04 G01N27/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
