一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114414971A
申请号 ：
CN202111530294.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪波马林东李珍刘伟鑫江芸孔泽斌刘建设祝伟明王昆黍
申请人 ：
上海精密计量测试研究所
申请人地址 ：
上海市闵行区元江路3888号
代理机构 ：
上海航天局专利中心
代理人 ：
唐敏
优先权 ：
CN202111530294.5
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01N23/04 G01N27/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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