抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标

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摘要

本发明提供了一种抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标，该抗冷反射红外靶标制备方法包括：步骤一，在多晶硅基底上涂覆负性光刻胶层；步骤二，通过掩模板对表面涂覆有负性光刻胶层的多晶硅基底进行曝光；步骤三，对曝光后的表面涂覆有负性光刻胶层的多晶硅基底进行显影处理；步骤四，对表面具有靶标孔形的负性光刻胶层的多晶硅基底进行电腐蚀；步骤五，在抗反射层和靶标孔形的负性光刻胶层上均涂覆一层膜层；步骤六，除去多晶硅基体上的靶标孔形的负性光刻胶层以及设置在靶标孔形的负性光刻胶层上的膜层，以获取抗冷反射红外靶标。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中靶标表面反射率较高，容易产生冷反射现象的技术问题。

基本信息

专利标题：

抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109917617A

申请号：

CN201711319998.1

公开（公告）日：

2019-06-21

申请日：

2017-12-12

授权号：

CN109917617B

授权日：

2022-06-14

发明人：

张鑫吴柯萱魏树弟王志杜继东何立平张林军

申请人：

北京振兴计量测试研究所

申请人地址：

北京市丰台区云岗北区西里1号院30号楼

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201711319998.1

主分类号：

G03F7/00

IPC分类号：

G03F7/00 G01M11/00