半导体设备制程厂房的微震监测装置
授权
摘要

本实用新型涉及一种半导体设备制程厂房的微震监测装置,涉及地震监测设备的技术领域,解决了传感器埋入地下时,由于土地内的氧化物质会对传感器的表面进行氧化磨损的问题,其包括传感器和数据处理显示器,传感器与数据处理器之间设置有电线,传感器的外壁套设有保护管,保护管的侧壁设置有用于卡紧传感器的抵紧件,保护管的上端卡接有管盖,管盖包括盖板一和盖板二,盖板一与盖板二于侧壁的一端铰接,管盖与垂直管盖拆分线的侧壁上固定连接有合页一,保护管的上端于合页一的对称位置处固定连接有合页二,合页一与合页二之间设置有紧固件。本实用新型具有减少传感器在地下产生氧化损坏的效果。

基本信息
专利标题 :
半导体设备制程厂房的微震监测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921550912.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-17
授权号 :
CN210894723U
授权日 :
2020-06-30
发明人 :
钱焱杰吕瑾沈静蔚
申请人 :
上海振南工程咨询监理有限责任公司
申请人地址 :
上海市青浦区金泽镇练西路2725号-Q2
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921550912.0
主分类号 :
G01V1/00
IPC分类号 :
G01V1/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01V
地球物理;重力测量;物质或物体的探测;示踪物
G01V1/00
地震学;地震或声学的勘探或探测
法律状态
2020-06-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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