一种反向稳压LED芯片

授权

摘要

本实用新型公开了一种反向稳压LED芯片，其包括：衬底、外延层、第一刻蚀道、第一发光结构和至少一个第二发光结构；所述外延层设于所述衬底上，并通过刻蚀至所述衬底的第一刻蚀道分为第一区域与第二区域；所述第一发光结构设于所述第一区域；所述第二发光结构设于所述第二区域；所述第一发光结构和第二发光结构相互串联；且所述第一发光结构和第二发光结构电流传输方向相反。本实用新型通过将多个第二发光结构相互串联，可将反向击穿电压提高至3n V(其中，n为第二发光结构的个数)，大幅提升了有反向电流存在时，LED芯片的安全性、可靠性，使得本实用新型中的LED芯片可应用于多种不同的使用场合。

基本信息

专利标题：

一种反向稳压LED芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921611519.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-25

授权号：

CN210379100U

授权日：

2020-04-21

发明人：

王硕庄家铭崔永进

申请人：

佛山市国星半导体技术有限公司

申请人地址：

广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司

代理人：

胡枫

优先权：

CN201921611519.8

主分类号：

H01L33/08

IPC分类号：

H01L33/08 H01L33/24 H01L33/00