一种降低加热块温度差的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种降低加热块温度差的装置，包括下垫片，所述下垫片的顶部设置有上加热片，所述上加热片的顶部中心处设置有加热凸起，所述加热凸起上呈方形排列有若干个成型槽，所述成型槽的底部中心处开设有真空吸孔，所述成型槽的底部对应两侧位于真空吸孔的两端分别开设有第一出气口和第二出气口，所述上加热片的一端分别安装有第一进气口和第二进气口，所述第一出气口通过第一气体通道与第一进气口连通，所述第二出气口通过第二气体通道与第二出气口连通。本实用新型结构新颖，构思巧妙，通过减小加热块温度差，从而减少引线键合过程中NSOP和NSOL发生，提升了平均无故障工作时间，同时也使产品良率得到提高。
基本信息
专利标题 ：
一种降低加热块温度差的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921635543.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN210245469U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
李辉
申请人 ：
无锡通芝微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市高新技术开发区52号地块29-B厂房闽江路21号
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂启新
优先权 ：
CN201921635543.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/607
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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