射频激励响应测量设备及传递函数测量系统
授权
摘要

本实用新型公开了一种射频激励响应测量设备及传递函数测量系统,适用于直线构型试件,其中测量设备包括:底座,用于固定安装试件;激励输入部,固定安装在底座上,用于与试件电连接;移动部,安装在底座上且可沿试件长度方向移动,移动部上安装有测量线圈,测量线圈用于套设在试件上;响应输出部,与测量线圈电连接。通过在试件尖端施加射频激励,用测量线圈沿试件测量试件各处的激励响应,以此来计算试件的传递函数。进而可以采用试件例如植入物的传递函数来解耦植入物与人体模型,可以较为准确的对植入物和人体复杂的环境耦合进行模拟计算植入物的射频制热,较为准确的对植入物的射频制热进行评价。

基本信息
专利标题 :
射频激励响应测量设备及传递函数测量系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921677100.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-09
授权号 :
CN210834739U
授权日 :
2020-06-23
发明人 :
姜长青龙天罡李路明
申请人 :
清华大学
申请人地址 :
北京市海淀区清华园
代理机构 :
北京华仁联合知识产权代理有限公司
代理人 :
陈建
优先权 :
CN201921677100.2
主分类号 :
G01N27/00
IPC分类号 :
G01N27/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
法律状态
2020-06-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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