一种微波激励腔装置
授权
摘要
本申请涉及微波设备技术领域，尤其是一种微波激励腔装置。所述波导管上设有磁控管安装孔和磁控管天线插入口；磁控管安装孔设于翅板上；磁控管天线插入口一个设在波导管矩形激励空腔带有翅板的一侧，另一个设在波导管矩形激励空腔与翅板相邻侧面的侧壁上；磁控管天线插入口设有与之相适配设置的铜圈；所述波导管的矩形激励空腔长为90‑96mm，宽为46‑56mm，单个翅板宽度为20‑25mm；所述磁控管天线插入口中心距离所述矩形激励腔体顶端16‑20mm。本申请能够达到高效率能量传输；双磁控管天线插入口的设置，保证激励腔内各面垂直的均匀波导，内壁光洁高导电率，极大程度增加了波导管的传输效率，减少了注波；提高波导管的加工效率，可形成生产线加工。
基本信息
专利标题 ：
一种微波激励腔装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921798822.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-24
授权号 ：
CN211720772U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
王爱华吕进凯王琳玮
申请人 ：
烟台北方微波技术有限公司
申请人地址 ：
山东省烟台市经济技术开发区衡阳路9号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921798822.3
主分类号 ：
H05B6/64
IPC分类号 ：
H05B6/64 H01J25/50
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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