一种改善插件上锡率的PCB架构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种改善插件上锡率的PCB架构，包括PCB板、若干电路走线和设于所述PCB板上的插件通孔，其特征在于，在所述插件通孔边缘设有若干过孔，所述过孔的钻孔区域与所述插件通孔的钻孔区域交叉，形成交错区域，所述交错区域的面积等于所述过孔的钻孔区域面积的1/3～1/2。本实用新型提供了一种改善插件上锡率的PCB架构，通过在插件通孔上设置若干过孔，形成交叉区域的方式来增加插件通孔的尺寸，从而有效地解决了因通孔尺寸小、PCB过波峰焊时上锡率低的问题；增加过孔的优化方法简洁、易操作，有效地提高了设计效率。
基本信息
专利标题 ：
一种改善插件上锡率的PCB架构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921922819.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-08
授权号 ：
CN210958966U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
詹俊德王灿钟
申请人 ：
深圳市一博科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
代理机构 ：
深圳市远航专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
田志远
优先权 ：
CN201921922819.8
主分类号 ：
H05K1/11
IPC分类号 ：
H05K1/11
法律状态
2021-01-12 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H05K 1/11
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更后 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518000 广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
变更后 : 518000 广东省深圳市南山区粤海街道深大社区深南大道9819号地铁金融科技大厦11F
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更后 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518000 广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
变更后 : 518000 广东省深圳市南山区粤海街道深大社区深南大道9819号地铁金融科技大厦11F
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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