一种脉冲锁存单元结构
授权
摘要
本实用新型涉及种脉冲锁存单元结构，包含第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和门控单元DUC组成，实现了对输入信号的锁存功能。本实用新型可广泛应用在构建锁存器的结构中，适用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。
基本信息
专利标题 ：
一种脉冲锁存单元结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921988057.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN210958333U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
白雨鑫陈鑫张颖刘小雨高翔毛志明单永欣马丽萍姚嘉祺陈凯施聿哲金铮斐李森葛明慧张骁煜
申请人 ：
南京航空航天大学
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区将军大道29号
代理机构 ：
江苏圣典律师事务所
代理人 ：
韩天宇
优先权 ：
CN201921988057.1
主分类号 ：
H03K19/0948
IPC分类号 ：
H03K19/0948
相关图片
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210958333U.PDF
PDF下载
