碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构
授权
摘要
本申请公开了一种碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，第一套筒安装在安装盖的下端，第二套筒安装在第一套筒的下端，第一套筒下端且位于第二套筒的外周安装有多个第一加热杆，第三套筒内设有用于安装第二套筒的第一限位腔，第二套筒内设有多个第二加热杆，第一套筒外壁与第三套筒内壁形成第二限位腔，安装盖上设有与第三限位腔连通的第三排气管，第一电阻丝安装在第一导热套内，第二电阻丝安装在第二导热套内，第一电阻丝的电阻大于第二电阻丝的电阻。本实用新型能够实现分区加热处理，可以实现对不同颗粒大小的碳化硅半导体进行分区氧化，实现不同温度的氧化导热处理，有效提高热效率，提高了氧化的效率和质量。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921994244.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN210429767U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
李晶卢红亮李勇刚蒋镄铠
申请人 ：
四川矽芯微科技有限公司
申请人地址 ：
四川省遂宁市射洪县经济开发区河东大道88号
代理机构 ：
成都玖和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡琳梅
优先权 ：
CN201921994244.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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