多晶硅系统保护用熔断器
授权
摘要
本实用新型公开了多晶硅系统保护用熔断器,包括主体,所述主体的两端均开设有连接孔,所述连接孔的内侧嵌入有螺栓,所述螺栓的底部表面等距离粘合有多个限位环,所述限位环与连接孔的内壁贴合连接,所述螺栓的顶部表面开设有连接螺纹,所述连接孔的顶部内壁处开设有与连接螺纹相连接的螺纹,所述限位环为中空的圆柱体结构,所述限位环为弹性材质构件;通过设计的限位环,代替了现有螺栓中大部分的螺纹,使得在安装过程中,大大的减少了对螺栓拧动的时间,从而在安装和拆卸中,都十分的方便,同时通过设计的连接螺纹进行紧固,不影响正常使用中连接的稳定性,使用起来十分的反驳概念,大大的提高了工作效率。
基本信息
专利标题 :
多晶硅系统保护用熔断器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922003770.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-19
授权号 :
CN212062360U
授权日 :
2020-12-01
发明人 :
刘双库
申请人 :
西安西整熔断器有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区丈八街办瞪羚路26号10305号
代理机构 :
西安毅联专利代理有限公司
代理人 :
陆佳
优先权 :
CN201922003770.2
主分类号 :
H01H85/02
IPC分类号 :
H01H85/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关;继电器;选择器;紧急保护装置
H01H85/00
电流通过其可熔材料的部分,当此电流过大时,由于可熔材料的熔断而使电流中断的保护装置
H01H85/02
零部件
法律状态
2020-12-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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