用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及低应力MEMS封装技术领域，尤其涉及一种用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构。本实用新型涉及低应力MEMS封装技术领域，尤其涉及一种针对惯性传感器的低应力MEMS封装的三维封装粘接结构和封装结构。所述用于低应力MEMS封装结构包括MEMS芯片和MEMS基座，所述MEMS芯片通过如本实用新型第一方面所述的用于低应力MEMS封装的粘接结构粘贴在所述MEMS基座上。所述用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构具有较好的应力隔离效果。
基本信息
专利标题 ：
用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922009546.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-20
授权号 ：
CN211255241U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
刘禹唐彬商二威杨杰陈彦秋
申请人 ：
江南大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201922009546.4
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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