一种耐高压陶瓷电容芯片及柱状电容器
授权
摘要
本实用新型涉及电容技术领域，尤其涉及一种耐高压陶瓷电容芯片及柱状电容器。耐高压陶瓷电容芯片包括管状的陶瓷体，陶瓷体的外侧面中部设有环形的凹孔，凹孔的两侧分别形成绝缘凸环，所述环形的凹孔的底面覆盖有外电极，所述陶瓷体的内孔侧面覆盖有内电极，且内电极的表面积为外电极的表面积的1.0倍~1.1倍。通过在陶瓷体的两端设置绝缘凸环，可提高其爬电距离，进而可提高其耐压性，有利于提高柱状电容器的耐高压性。
基本信息
专利标题 ：
一种耐高压陶瓷电容芯片及柱状电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922020277.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-21
授权号 ：
CN211125386U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
何鹏飞易建超
申请人 ：
东莞市美志电子有限公司;湖南美志科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市东城街道莞樟路东城段57号
代理机构 ：
东莞科强知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
肖冬
优先权 ：
CN201922020277.1
主分类号 ：
H01G9/14
IPC分类号 ：
H01G9/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G9/00
电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法
H01G9/004
零部件
H01G9/14
改善或补偿电解电容器的电特性用的结构组合
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
