一种射频同轴连接器内导体结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种射频同轴连接器内导体结构，涉及射频同轴连接器技术领域，包括插接部和插针，所述插接部的内部开设有左端开口供插针插接的容腔，所述容腔的前端开设有阻挡部，容腔的侧壁一体成型有一环状凸起，容腔的后壁上固定设置有方形定位孔，所述插针的中部表面向外延伸有一圈凸缘，插针上位于凸缘的右侧开设有供环状凸起放置的环形凹槽，插针的后端设置有与定位孔大小相同的方形定位块，所述插接部的后端还固定设置有一插拔槽，插拔槽呈高度从右向左逐渐增高的倾斜状，插拔槽的表面沿轴向上开设有三个纵向槽，本实用新型插针不易发生移动，电特性好。
基本信息
专利标题 ：
一种射频同轴连接器内导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922026281.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-21
授权号 ：
CN210628668U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
许娟
申请人 ：
镇江市鑫达丰精密电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省镇江市丹徒区辛丰镇南岗村润奇路2号
代理机构 ：
南京创略知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘文艳
优先权 ：
CN201922026281.9
主分类号 ：
H01R24/40
IPC分类号 ：
H01R24/40 H01R13/502 H01R13/627 H01R13/629
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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