加热装置
授权
摘要

本实用新型提供一种加热装置,能够在不限制基板的表面中的有效区域的情况下良好地加热基板,所述加热装置具有:加热板,从下方加热以表面朝向上方的面朝上状态定位在加热位置的基板;升降机构,使基板相对于加热板在上下方向上在高于加热位置的待机位置与加热位置之间升降,并将基板在上下方向上定位;吸附机构,在通过加热板加热利用升降机构定位在加热位置的基板的加热处理中,吸附基板的背面。

基本信息
专利标题 :
加热装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922088705.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-27
授权号 :
CN210805713U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
上野幸一
申请人 :
株式会社斯库林集团
申请人地址 :
日本京都府
代理机构 :
隆天知识产权代理有限公司
代理人 :
向勇
优先权 :
CN201922088705.4
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/687  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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