进气装置及半导体设备
授权
摘要
本实用新型提供一种进气装置及半导体设备，该进气装置用于向半导体设备的工艺腔室提供工艺气体，包括主进气管路、第一组支进气管路、第二组支进气管路及调压机构；调压机构与主进气管路相连接，用于控制主进气管路内的气体流量稳定在预设范围；主进气管路的出气端分别与第一组支进气管路、第二组支进气管路的进气端相连接；第一组支进气管路、第二组支进气管路的出气端分别与工艺腔室连通，用于将工艺气体输送至工艺腔室内的指定区域；第一组支进气管路、第二组支进气管路上分别设置有支路气体流量调节装置。应用本实用新型可以实现单独调节基片某区域的工艺气体流量，提高了工艺稳定性，有利于基片整体厚度均匀性的优化。
基本信息
专利标题 ：
进气装置及半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922098407.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN211897166U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
赵万辉
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201922098407.3
主分类号 ：
C30B25/14
IPC分类号 ：
C30B25/14 C30B29/06 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置；反应气流的变换
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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