存储器及其衬垫结构
授权
摘要
本公开提供一种存储器及存储器的衬垫结构。该存储器的衬垫结构包括绝缘支撑层、导电层以及金属层。该绝缘支撑层包括第一区域以及围绕第一区域的环形沟槽。该第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽。多个第一沟槽均与环形沟槽相通。任一第二沟槽与环形沟槽以及任一第一沟槽均不相通。该导电层填充于环形沟槽和各第一沟槽内。该金属层填充于各第二沟槽内。本公开能够提高存储器的寿命。
基本信息
专利标题 ：
存储器及其衬垫结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922132411.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210640236U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201922132411.7
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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