一种二氧化锆结晶炉
授权
摘要
本实用新型涉及二氧化锆加工技术领域,公开了一种二氧化锆结晶炉,包括:机壳,机壳内设有烧结组件,机壳的底部设有控制箱,控制箱上设有升降架,升降架固定设有升降座,升降座的一端设有烧结台,升降座内设有与烧结台的一端固定连接的转轴,升降座内设有驱动组件,控制箱上设有显示屏,控制箱上设有保护板,保护板与控制箱转动连接,控制箱上设有位于显示屏一侧的升降按键,控制箱上设有控制开关;机壳的一端设有用于散热的散热孔。将二氧化锆全瓷牙放置于烧结台内,通过升降架将烧结台升至机壳内,烧结组件对其进行烧结处理,驱动组件起驱动作用,带动烧结台在升降座上转动,使二氧化锆全瓷牙受热均匀,降低残次品的产生,方便节约成本。
基本信息
专利标题 :
一种二氧化锆结晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922172013.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-06
授权号 :
CN211570837U
授权日 :
2020-09-25
发明人 :
李慧
申请人 :
必励(深圳)医疗器械有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区福海街道桥头社区宝安大道6261号彤鑫科技大厦A座A06
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201922172013.8
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00 C30B29/16
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-09-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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