一种可控硅输出光电耦合器结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种可控硅输出光电耦合器结构，具体涉及电子领域，包括封装壳体，所述封装壳体的一侧设置有正极引脚，所述封装壳体的另一侧设置有负极引脚，所述封装壳体的内部设置有外黑胶，所述封装壳体的内部固定设置有矽胶，所述矽胶上设置有LED发光芯片，所述LED发光芯片的一侧设置有光可控硅芯片和和可控硅芯片，所述矽胶的一侧固定设置有导电银胶，所述导电银胶远离矽胶的一侧设置有多个导线架。本实用新型采用光电耦合原理及设计增加可控硅功能，集成于单颗集成电路内形成可控硅输出光电耦合器，而且该可控硅输出光电耦合器，输入信号的传导以及输入输出之间用光实现绝缘，能够满足对高频率的通断和长期的可靠性的需求。
基本信息
专利标题 ：
一种可控硅输出光电耦合器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922184639.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-09
授权号 ：
CN211045438U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
陈力
申请人 ：
福建福顺半导体制造有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市仓山区盖山投资区内（高旺村11号）
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤东凤
优先权 ：
CN201922184639.0
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/04 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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