一种样品结构
授权
摘要
本申请提供一种样品结构，所述样品结构，包括衬底、位于衬底上的金属薄膜，以及位于金属薄膜内部或其上的纳米结构。样品结构简单，制作方法简易，能够在倾斜入射光照射下，产生的近场光场分布能够被SNOM检测到，且对入射光空间角具有良好响应，能够用于SNOM近场光场成像，进而由SNOM近场光场成像测量结果反推出入射光空间角分量，从而实现对SNOM设备入射光空间角的标定。
基本信息
专利标题 ：
一种样品结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922216397.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN211785621U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
温晓镭
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
温可睿
优先权 ：
CN201922216397.9
主分类号 ：
G01Q60/18
IPC分类号 ：
G01Q60/18 G01Q40/00 G01Q30/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01Q
扫描探针技术或设备；扫描探针技术的应用，例如，扫描探针显微术
G01Q60/00
特殊类型的SPM或其设备；其基本组成
G01Q60/18
SNOM或其设备，例如，SNOM探针
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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