一种半导体臭氧发生器
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摘要

本实用新型公开了臭氧发生器技术领域的一种半导体臭氧发生器,包括外壳、半导体制冷座和臭氧发生器,所述半导体制冷座位于外壳右侧,在使用时,水槽内腔的水经过半导体制冷座进行降温冷却,再由顶部水泵通过抽水管抽出,经连接管和进水接头送入外壳与臭氧发生器形成的空腔内,冷却后的水直接与臭氧发生器的外壁接触,达到冷却目的,而空腔中的水通过排水管入水槽内进行再次冷却,可提高水资源的利用率,且顶部水泵右端的连接管穿过半导体制冷座与水槽的连接处,连接管位于半导体制冷座与水槽内侧的部分为蛇形管,蛇形管可延长水流过两者之间的速度,使的半导体制冷座对连接管内腔的水进行充分的冷却,来提高对臭氧发生器的冷却效率。

基本信息
专利标题 :
一种半导体臭氧发生器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922236619.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-13
授权号 :
CN211712630U
授权日 :
2020-10-20
发明人 :
孙锋邢健孟亚魏飞宇
申请人 :
江苏天新环保科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市二环西路18号锦湖大厦511室
代理机构 :
北京棘龙知识产权代理有限公司
代理人 :
戴丽伟
优先权 :
CN201922236619.3
主分类号 :
C01B13/11
IPC分类号 :
C01B13/11  F25B21/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B13/00
氧;臭氧;一般氧化物或氢氧化物
C01B13/10
臭氧的制备
C01B13/11
用放电法
法律状态
2020-10-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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