一种下传动磁流体坩埚杆
授权
摘要

本实用新型提供一种下传动磁流体坩埚杆。所述下传动磁流体坩埚杆包括:外压套和坩埚杆,所述外压套设置于所述坩埚杆的外表面;磁靴,所述磁靴设置于所述外压套的内部且位于所述坩埚杆的表面;上压盖,所述上压盖设置于所述外压套的内部且位于所述磁靴的底部;第一轴承,所述第一轴承设置于所述外压套的内部且位于所述上压盖的下方。本实用新型提供的下传动磁流体坩埚杆具有改进原有的磁流体使得在单晶提拉过程中,使得坩埚里液面在提拉单晶过程中平稳不抖动,而且延长使用周期,从而增大产量,降低维修成本,上压盖、第一轴承、第二轴承和内隔套装配方式和尺寸以达到配合要求,达到转动的平稳性和降低维修频次,最终提升单晶产量,降低成本。

基本信息
专利标题 :
一种下传动磁流体坩埚杆
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922280551.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-18
授权号 :
CN212476947U
授权日 :
2021-02-05
发明人 :
杨延生朱隆继文武高玉顺何旭李德义
申请人 :
阳光能源(青海)有限公司
申请人地址 :
青海省西宁市经济技术开发区金源路
代理机构 :
青海省专利服务中心
代理人 :
李玉青
优先权 :
CN201922280551.9
主分类号 :
C30B15/30
IPC分类号 :
C30B15/30  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2021-02-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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