用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路
授权
摘要
本实用新型提供一种应用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围：3－1000根，鳍的宽度1－50nm，鳍长度0.1－1000um，所述鳍之间的距离为：1－100nm之间；上述用于FinFET工艺中探测晶体管边缘鳍形变的测试结构根据FINFET工艺的特点设计，结构简单易于制造。并且测试可靠性高，能够准确探测并对比边缘鳍的形变程度，从而监控集成电路制造工艺，帮助制造者及时发现问题、及时改进制造方案，极大地节约生产成本投入。
基本信息
专利标题 ：
用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922330645.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN212907729U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
张飞虎陆梅君刘慧斌杨慎知
申请人 ：
杭州广立微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区华星路99号东软创业大厦A407室
代理机构 ：
杭州丰禾专利事务所有限公司
代理人 ：
王静
优先权 ：
CN201922330645.2
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66 G01B7/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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