一种多晶硅片的快速烧结设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种多晶硅片的快速烧结设备，属于机械技术领域。它解决了现有快速烧结设备的工作效率较低等技术问题。本多晶硅片的快速烧结设备，包括底座和传送带，传送带设置在底座上，其特征在于，底座上设置有吹扫结构、烧结箱体和冷却结构，吹扫结构、烧结箱体和冷却结构依次排列且位于传送带的一侧，底座上还固定有推杆电机，推杆电机位于传送带的另一侧，推杆电机的推杆水平设置，推杆电机的推杆上还固定有用于推送多晶硅片的推板，烧结箱体上固定有输送槽，输送槽穿过吹扫结构并与传送带相抵靠，所述冷却结构包括冷却箱体、吸气罩、惰性气体输送盘、吹风盘、支架和若干输送滚筒。本实用新型具有工作效率高的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种多晶硅片的快速烧结设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922357955.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN211199477U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
钱其峰张秋涛褚玲芳
申请人 ：
浙江芯能光伏科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市皮都路9号
代理机构 ：
杭州永航联科专利代理有限公司
代理人 ：
俞培锋
优先权 ：
CN201922357955.3
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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