高速直接调制DFB激光器
专利权的终止
摘要
本实用新型属于光电子器件领域，本实用新型公开了一种高速直接调制DFB激光器包括：级联的DFB节和无源腔反馈节，DFB节和无源腔反馈节均为脊波导结构，两个脊之间刻蚀有电隔离槽；所述DFB节从下而上依次设置有第一衬底、第一下缓冲层、光栅层、下分别限制层、有源层、上分别限制层、第一上缓冲层、第一停止腐蚀层、第一包层和第一覆盖层，在第一覆盖层上设有第一电极；所述无源腔反馈节从下而上依次设置有第二衬底、第二下缓冲层、波导芯层、第二上缓冲层、第二停止腐蚀层、第二包层和第二覆盖层，在第二覆盖层上设有第二电极。本实用新型提供的DFB半导体激光器相对于普通脊波导结构的DFB半导体激光器的调制带宽更大。
基本信息
专利标题 ：
高速直接调制DFB激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922438265.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN210985180U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
朱尧邹易王任凡
申请人 ：
武汉敏芯半导体股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地(一期)1栋3层02室03号
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
许美红
优先权 ：
CN201922438265.0
主分类号 ：
H01S5/10
IPC分类号 ：
H01S5/10 H01S5/12 H01S5/22 H01S5/062 H01S5/0625
法律状态
2021-12-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01S 5/10
申请日 : 20191230
授权公告日 : 20200710
终止日期 : 20201230
申请日 : 20191230
授权公告日 : 20200710
终止日期 : 20201230
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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