本实用新型公开了一种可调制功率的半导体激光器，包括半导体壳体、集成电路、激光处理芯片、微型变频器和激光发射头，所述半导体壳体内部的顶端固定有集成电路，且集成电路下方的半导体壳体内壁上设有激光处理芯片，并且激光处理芯片远离集成电路一侧的半导体壳体内壁上设有微型变频器，所述半导体壳体底部的中心位置处安装有激光发射头，激光发射头的底端延伸至半导体壳体的外部，且半导体壳体顶部的中心位置处设有电源接口，电源接口的顶端延伸至半导体壳体的外部。本实用新型不仅延长了半导体激光器的使用寿命，提高了半导体激光器使用时的稳定性，而且避免了半导体激光器使用时激光发射头受到侵蚀的现象。