一种用于晶圆测试用加热装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体生产测试领域的一种用于晶圆测试用加热装置，包括工作平台，工作平台通过支撑腿设置在地面上，工作平台的中心呈镂空设置，工作平台的中心设置有下侧气缸，下侧气缸的连杆穿过工作平台并固定在工作平台的底部，工作平台的四周还设置有上侧支撑，上侧支撑的顶部设置有固定板，固定板上面设置有上侧气缸，上侧气缸的连杆穿过固定板并固定在固定板的顶部；下侧气缸的连杆顶部配合设置有加热组件，上侧气缸的连杆顶部设置有保温组件；保温组件对应设置在加热组件的正上方；该实用新型可以对需要加热的晶圆进行持续加热，使得晶圆加热温度均匀一致，同时具有较好保温作用，避免热量过度散失，降低使用的能耗。
基本信息
专利标题 ：
一种用于晶圆测试用加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922467307.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN210837687U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
向俊武周友陈小跃陈浩
申请人 ：
安测半导体技术（江苏）有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区安桥路1号高新区大楼9楼
代理机构 ：
南京德铭知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
奚鎏
优先权 ：
CN201922467307.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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