半导电缓冲层电气的测试电路
授权
摘要
本实用新型提供一种半导电缓冲层电气的测试电路，所述半导电缓冲层电气测试电路包括：高压环，紧贴待测试电缆段的绝缘屏蔽层，且与待测试电缆段的导体短接；屏蔽环，紧贴待测试电缆段的半导电缓冲层；直流源组件，直流源组件的高压极与所述高压环连接，直流源组件的低压极与所述屏蔽环及电缆的金属套连接；其中，半导电缓冲层设置于绝缘屏蔽层的两侧。本实用新型可有效解决现有带材测试和电缆整体高压电气试验方法的局限和不足；综合反映缓冲带材、绕包结构、铝套间隙等因素，有效评价缓冲层的材料特性、结构特性和电接触特性。
基本信息
专利标题 ：
半导电缓冲层电气的测试电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922495185.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211478619U
授权日 ：
2020-09-11
发明人 ：
徐晓峰夏俊峰施楠楠
申请人 ：
上海电缆研究所有限公司
申请人地址 ：
上海市杨浦区军工路1000号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张燕
优先权 ：
CN201922495185.9
主分类号 ：
G01R31/58
IPC分类号 ：
G01R31/58
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/58
测试线路、电缆或导体
法律状态
2020-09-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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