用于多电子束系统的偏转阵列设备
授权
摘要
本发明提供一种利用微透镜阵列MLA的光学特性化系统。所述系统可包含电子源及包含微偏转阵列MDA的MLA。所述MDA可包含绝缘体衬底及安置于所述绝缘体衬底上的多个六极静电偏转器。所述MDA可进一步包含多个电压连接线，所述多个电压连接线经配置以将所述多个六极静电偏转器电耦合到一或多个电压源。所述MDA可经配置以将来自所述电子源的初级电子束分裂成多个初级电子子束。所述系统可经配置以将所述多个初级电子子束聚焦于晶片平面处。
基本信息
专利标题 ：
用于多电子束系统的偏转阵列设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112805804A
申请号 ：
CN201980066267.1
公开（公告）日 ：
2021-05-14
申请日 ：
2019-10-03
授权号 ：
CN112805804B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
姜辛容C·西尔斯
申请人 ：
科磊股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘丽楠
优先权 ：
CN201980066267.1
主分类号 ：
H01J37/304
IPC分类号 ：
H01J37/304 H01J37/04 H01J37/317 H01J37/30
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/304
由来自物体的信息控制电子管的，如校正信号
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-10-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/304
申请日 : 20191003
申请日 : 20191003
2021-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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