纳米复合材料及其制备方法、薄膜和发光二极管

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摘要

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、发光二极管。本发明提供的制备方法包括：提供金属氧化物纳米颗粒和立方烷类化合物，且立方烷类化合物中的至少一个氢原子被过渡金属原子取代；在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和立方烷类化合物分散在有机溶剂中，进行混合处理，获得包含有纳米复合材料的混合溶液；将混合溶液进行固液分离，获得纳米复合材料。由此制得的纳米复合材料包括：金属氧化物纳米颗粒以及连接金属氧化物纳米颗粒的立方烷类化合物，提高了空穴迁移率，进而有效平衡空穴‑电子传输速率。

基本信息

专利标题：

纳米复合材料及其制备方法、薄膜和发光二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113437245A

申请号：

CN202010207475.3

公开（公告）日：

2021-09-24

申请日：

2020-03-23

授权号：

CN113437245B

授权日：

2022-06-14

发明人：

吴劲衡吴龙佳何斯纳

申请人：

TCL科技集团股份有限公司

申请人地址：

广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司

代理人：

张杨梅

优先权：

CN202010207475.3

主分类号：

H01L51/56

IPC分类号：

H01L51/56 H01L51/50