一种铜基吸光层薄膜及其制备方法、铜基薄膜太阳能电池
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摘要
本发明提供了一种铜基吸光层薄膜及其制备方法、铜基薄膜太阳能电池。该制备方法包括如下步骤：将金属单质、二硫醚化合物、硫醇化合物、氨/有机胺类化合物和溶剂混合并进行反应，获得金属‑硫醇盐配位化合物的前驱体溶液；将所述前驱体溶液在一基底上成膜，在预设温度下进行加热退火处理，获得吸光层前驱体薄膜；将所述吸光层前驱体薄膜进行硒化和/或硫化处理，获得铜基吸光层薄膜。根据本发明的方案，用来制备铜基吸光层薄膜的方法简单，避免了采用毒性大、不稳定和易爆炸的无水肼为溶剂，且基于该方法制备获得的铜基薄膜太阳能电池的光电转换效率为5‑16％。
基本信息
专利标题 ：
一种铜基吸光层薄膜及其制备方法、铜基薄膜太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111416007A
申请号 ：
CN202010250951.X
公开（公告）日 ：
2020-07-14
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN111416007B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
罗艳红郭林宝孟庆波石将建李冬梅吴会觉
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
白莉莉
优先权 ：
CN202010250951.X
主分类号 ：
H01L31/0392
IPC分类号 ：
H01L31/0392 H01L31/032 H01L31/072 H01L31/0749 H01L31/0445 H01L31/18
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-08-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0392
申请日 : 20200401
申请日 : 20200401
2020-07-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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