一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法

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摘要

本发明提出一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法，所述SBD二极管结构自下而上依次为GaN衬底、n型GaN层、n^‑型GaN层、渐变掺杂的AlGaN结构、嵌入所述n^‑型GaN层的高阻区、位于所述GaN衬底底部的阴极和位于顶部所述GaN层上的阳极，其中渐变掺杂的Al_xGa_1‑xN结构底层为n‑AlGaN层，顶层为n‑GaN层，Al组分自下而上逐渐减小，其中0≤x≤1；所述高阻区上表面与顶部所述n‑GaN层共面。用渐变掺杂方法对n型区域进行极性掺杂，采用氧化层终端结构提高SBD击穿电压的同时解决正向导通电压低和正向导通电流小的问题。

基本信息

专利标题：

一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法

专利标题（英）：

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公开（公告）号：

CN111509033A

申请号：

CN202010263036.4

公开（公告）日：

2020-08-07

申请日：

2020-04-07

授权号：

CN111509033B

授权日：

2022-04-19

发明人：

高博刘新科

申请人：

深圳第三代半导体研究院

申请人地址：

广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司

代理人：

刘敦枫

优先权：

CN202010263036.4

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/872 H01L21/329

法律状态

2022-04-19 ：

授权

2020-09-01 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20200407

2020-08-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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